第一列
高同調性超導量子電路材料之研究
實現高品質量子位元元件是發展量子計算的關鍵,受限於材料以及介面的議題,提升量子位元的效能尚存許多挑戰。本計畫將著手於超導量子位元最具挑戰性的幾個議題,包括:成長高品質超導體薄膜、高品質氧化層、兩者之異質結構,超導特性量測,以及約瑟夫森接面,共振腔,以及量子位元的製作與分析。唯有最佳化的材料成長、元件製作以及量測才能實現高品質高同調性的超導量子位元元件。
掃描透射電子顯微鏡(HAADF-STEM)橫截面圖,左下圖為分子束磊晶法(MBE)鋁/藍寶石介面,和原位沉積的氧化鋁/外延鋁異質結構(左上圖),本研究中所研究多項材料及製程所製作之超導微波振盪器,品質因素在低功率下可達一百萬以上(右圖)。
團隊組成
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共同主持人
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洪銘輝(國立臺灣大學物理學系暨研究所)
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林志忠(國立陽明交通大學電子物理學系)
技術亮點
高品質超導材料成長及元件製程
- 此技術欲解決問題:
解決超導量子位元中,由於材料及界面缺陷造成能量耗散,而導致量子同調時間縮短的問題。 - 重要性/突破性:
本研究中運用超高真空腔體內以分子磊晶技術,成長高品質超導薄及保護層,並研發元件製程,使多種材料所製成之微波振盪元件品質因素可達一百萬以上。 - 與計畫未來研發方向的關聯性:
微波振盪元件之品質因素,與所建構超導量子位元之同調時間有直接相關,利用此技術之材料及製程可製作出高同調時間之超導量子位元,可以直接降低錯誤率並提高效能。
高角環形暗場掃描透射電子顯微鏡(HAADF-STEM)橫截面圖,圖中為分子束磊晶法(MBE)鋁/藍寶石異質結構(左)和原位沉積的氧化鋁/外延鋁異質結構(右),中心的結構示意圖顯示了鋁薄膜和藍寶石基板的方向。此圖顯示出材料及介面的高品質。